'

ОАО «ИНТЕГРАЛ» филиал «ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

ОАО «ИНТЕГРАЛ» филиал «ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения


Слайд 1

ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.


Слайд 2

НОВЫЕ ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г.


Слайд 3

2П524А9 , 2П524А-5 , АЕЯР.432140.519ТУ n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2


Слайд 4

ОКР «Титул» n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Повышенная стойкость к СВВФ Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Значения характеристик: 7И1 - 0,5 х 5Ус , 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус , 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус , 7С1 - 50 х 5Ус , 7С4 - 5 х 4Ус , 7К1 – 2К , 7К4 - 1К ГОСТ РВ 20.39.414.2


Слайд 5

Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор Корпусное исполнение КТ-99-1 2ТД543А9, АЕЯР.432150.538ТУ, Cоставной биполярный n-p-n транзистор


Слайд 6

ОКР «Транзистор-М» Cоставной биполярный n-p-n транзистор Значения характеристик: 7И1 - 0,5 х 5Ус , 7И6 - 4Ус, 7И7 – 0,5 х 6Ус , 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус , 7С1 - 50 х 5Ус , 7С4 - 5 х 4Ус , 7К1 – 2К , 7К4 - 1К ГОСТ РВ 20.39.414.2 Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор Дарлингтона Корпусное исполнение КТ-99-1


Слайд 7

Предельно-допустимые режимы эксплуатации Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4Ус, 7И8 - 2 х 10 Е-5 х 1Ус, 7С1 - 4Ус, 7С4 - 4Ус, 7К1 – 5х1.К, 7К4 - 0,5х1.К ГОСТ РВ 20.39.414.2 Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, логическим уровнем управления и встроенным обратносмещенным диодом, с повышенной стойкостью с СВВФ Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254


Слайд 8

СВЧ диод Шоттки 2ДШ142А9 набор СВЧ диодов Шоттки 2ДШ142АС9 Функциональное назначение диодов использование в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Корпусное исполнение: малогабаритный пластмассовый корпус для поверхностного монтажа КТ-46А Один диод в корпусе Набор диодов (два последовательно соединённых диода) Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 ?10) ?С]


Слайд 9

Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации Значения характеристик специальных факторов во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции


Слайд 10


×

HTML:





Ссылка: