'

Основные физические процессы в биполярных транзисторах

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Основные физические процессы в биполярных транзисторах


Слайд 1

В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы: инжекция, диффузия, рекомбинация и экстракция. При прямом смещении р?n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Процесс переноса инжектированных носителей через базу – диффузионный. Характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения, – диффузионная длина Lp. Поэтому если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. И условие W < Lp является необходимым для реализации транзисторного эффекта – управления током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи. Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое поле обратно смещенного коллекторного p?n перехода и экстрагируются из базы в коллектор.


Слайд 2

Для любого p?n перехода ток J определяется суммой электронного Jn и дырочного Jp компонент, а они в свою очередь имеют дрейфовую и диффузионную составляющие: В активном режиме к эмиттеру приложено прямое напряжение и через переход течет эмиттерный ток Iэ, имеющий две компоненты: , где Iэр – ток инжекции дырок из эмиттера в базу, Iэn – ток инжектированных электронов из базы в эмиттер. Величина «полезной» дырочной компоненты равняется Iэp = ?·Iэ, где ? – эффективность эмиттера. Величина дырочного эмиттерного тока, без рекомбинации дошедшая до коллектора, равняется ??Iэ.


Слайд 3

Ток базы Iб транзистора будет состоять из трех компонент, включающих электронный ток в эмиттерном переходе Iэn = (1 – ?)·Iэ, рекомбинационный ток в базе (1 - ?)?Iэ и тепловой ток коллектора Iк0. Тепловой ток коллектора Iк0 имеет две составляющие: где I0 – тепловой ток, Ig – ток генерации.


×

HTML:





Ссылка: