'

ИФП 1976 год

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

ИФП 1976 год IEEE El.Dev.v.56N4,apr.2009


Слайд 1

ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г Thin Sol.Films,58(1979) IEEE El.Dev.v.56,N4,Apr.2009 Цитата из статьи: “We reported the highest electron mobility (?n) for Ge NMOS in the literature”


Слайд 2

Основные идеи А.В.Ржанова, положенные в основу формирования совершенной границы раздела, и выполненные под его руководством работы по созданию МДП – транзистора на основе германия привели к получению прибора, характеристики которого не могут превзойти даже через 30 лет! Они до сих пор являются лучшими в мире!


Слайд 3


Слайд 4


Слайд 5

Учёный сосет ИФП СО РАН в 1970 году


Слайд 6

Большое спасибо всем , кто пришёл на этот учёный совет, посвящённый памяти организатора и первого директора нашего института академика РАН Анатолия Васильевича Ржанова


×

HTML:





Ссылка: