'

Семинар по энергонезависимой памяти Октябрь 2001

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Семинар по энергонезависимой памяти Октябрь 2001


Слайд 1

История Ramtron Основана в 1984 $18.5M продажи в 1998 130 сотрудников Находится в Colorado Springs Опытное производство в 1993-97 Начало продаж в 1998


Слайд 2

Бизнес Ramtron Партнеры Покупатели FRAM Университеты Поставщики оборудования Продажа лицензий Поставка продуктов Поставка технологий Производства Разработка технологий


Слайд 3

Схема производства Развитие технологии Производство Япония Штаб-квартира, Тестирование, склад Colorado Springs Упаковка Тайланд Упаковка Китай


Слайд 4

Технология FRAM Идеальная электрически перепрограммируемая память ОЗУ, не требующее питания Функции ОЗУ и ПЗУ объединяются в одной микросхеме Лишена недостатков других видо ЭППЗУ Минимальное энергопотребление: подходит для носимых приборов и батарейного питания Индустриальный температурный диапазон


Слайд 5

Введение в технологию FRAM - Ferroelectric RAM, ОЗУ на ферроэлектрических кристаллах Энергонезависимое ОЗУ без батарейки Основной элемент памяти – ферроэлектрический кристалл Данные сохраняются подвижным атомом с двумя стабильными состояниями Атом перемещается в направлении приложенного электрического поля, оставаясь на месте после его снятия Подвижный атом стабилен после снятия поля


Слайд 6

Мифы о ферроэлектриках Ферроэлектрики это не ферромагнетики! Нет магнитного механизма! Ферроэлектрики используют электрическое поле! Нет металла !!! Нет магнетизма !!!


Слайд 7

Чтение и запись FRAM Электрическое поле приложено к кристаллу Подвижный атом перемещается в направлении электрического поля Импульс заряда излучается при пересечении атомом центра кристалла Нет физического барьера Атом перемещается за < 1нс После считывания положение атома восстанавливается Запись эквивалентна чтению, только восстанавливается новое значение


Слайд 8

Конденсаторы Из поликристаллических ферроэлектрических пленок формируются конденсаторы Платиновый или иридиевый электрод Платиновый или иридиевый электрод PZT


Слайд 9

Ячейка FRAM 1T1C Сигнал с конденсатора сравнивается с опорным 2T2C Сигнал с конденсатора сравнивается с инверсным 256Kб и менее 1Mб и более


Слайд 10

Продукты Ramtron Улучшенная память Стандартная цоколевка, новые возможности Память с дополнениями Интегрированная память и периферия Логика с памятью Решение системных задач технологией памяти


Слайд 11

Продукты Последовательная память Название Емкость Интерфейс Состояние FM24C04 4Kb 2-wire Серийная продукция FM24C256 256Kb 2-wire Серийная продукция FM25040 4Kb SPI mode 0 Серийная продукция FM25C160 16Kb SPI mode 0 & 3 Серийная продукция FM25640 64Kb SPI mode 0 & 3 Серийная продукция FM24CL16 16Kb 2-wire, 2.7-5.5V Серийная продукция FM24CL64 64Kb 2-wire, 2.7-3.6V Серийная продукция Параллельная 8-разрядная память Название Емкость Интерфейс Состояние FM1608 64Kb Bytewide Серийная продукция FM18L08 256Kb Bytewide, 2.7-3.6V Серийная продукция


Слайд 12

Положение FRAM на рынке Технология электрически перепрограммируемой памяти Удельная стоимость различных технологий


Слайд 13

Рынок ЭППЗУ Сбор данных Сбор и накопление данных о системе ЭППЗУ нужно часто перезаписывать Быстрая запись и большое число циклов необходимы 3 категории пользователей Конфигурация Управление процессом или конфигурацией ЭППЗУ нужно переписывать при изменении состояния ЭППЗУ приходится переписывать при выключении питания Быстрая запись или большое число циклов удобнее Идентификация Различные цели Память записывается однажды или несколько раз Большое число циклов записи не нужно Увеличение важности FRAM


Слайд 14

FRAM и другие решения


Слайд 15

Другие продукты Логика с памятью Название Описание Состояние FM573 8-разрядная защелка с памятью(ИР33) Серийная продукция FM574 8-разрядный регистр с памятью Серийная продукция Память с дополнениями Название Описание Состояние FM3808 256Kb 8-разрядная плюс RTC Планируется FM3064 64Kb последовательная плюс RTC Планируется FM4064 64Kb последовательная плюс супервизор Планируется


Слайд 16

Последовательные FRAM Преимущества FRAM компенсируют небольшое увеличение цены Цифры для EEPROM – усредненные по 4 производителям


Слайд 17

Почему FRAM ? 1. Разница в цене порядка $0.50 Эта сумма не очень значительна в большинстве применений 2. Медленная запись в ЭППЗУ – больше вероятность сбоя Насколько велика ценность записываемых данных ? 3. Для ЭППЗУ нужен супервизор при выключении питания FRAM фактически обходится дешевле в системе 4. Уменьшение затрат на ремонт/обслуживание Возможность выхода из строя ЭППЗУ из-за недостаточного числа циклов перезаписи 5. Новые возможности для сбора данных Улучшение функций и новые возможности при минимальной цене


Слайд 18

Параллельная память ОЗУ с батарейкой Модульное решение : Гибридный блок с ОЗУ, батарейкой и контроллером. Корпус DIP или специальная сборка для SMD монтажа. Дискретное решение : Обычное ОЗУ, внешняя батарейка и микросхема супервизора. *И параллельные ЭППЗУ


Слайд 19

FRAM и ОЗУ с батарейкой FRAM ~$2.00 для 64Kb Однокристальное Обычный SMD Высокая надежность Полная безопасность Вибро- и удароустойчиво Надежный интерфейс ОЗУ с батарейкой >$4.00 для 64Kb Гибридный модуль или схема Специальный большой корпус Батарейка может отказать Литиевые батарейки опасны Чувствительно к ударам Повреждение от отрицательных испульсов FRAM и ОЗУ с батарейкой быстро записываются, допускают много циклов перезаписи, но... FRAM лучше и стоит дешевле!


Слайд 20

2-проводная память FM24C64 Обмен по двум линиям, CLK и DATA Входы выборки для 4Kb, 64Kb Тактовая частота до 1MHz (64K) Питание 5V NoDelayO Write – нет задержки при записи 1E10 циклов обращения Стандартный протокол и цоколевка 2-проводная память FM24C04 4Kb 400 kHz FM24C16 16Kb 400 kHz FM24C64 64Kb 1 MHz


Слайд 21

Память с SPI FM25640 Интерфейс SPI : CS, SCK, DO, DI Mode 0&3 для FM25640, FM25C160 Mode 0 для FM25040, FM25160 Тактовая частота до 5MHz (для новых) Питание 5V NoDelayO Write – нет задержки при записи 1E10 max циклов обращения Стандартный протокол и цоколевка Память с SPI FM25040 4Kb 2.1 MHz FM25160 16Kb 2.1 MHz FM25C160 16Kb 5 MHz FM25640 64Kb 5 MHz


Слайд 22

Параллельная память 120 ns время выборки, 70 ns разрабатывается Питание 5V NoDelayO Write – нет задержки при записи 1E10 max циклов обращения Стандартный протокол и цоколевка, как у ОЗУ Параллельная память FM1608 8Kx8 FM1808 32Kx8 FM1808


Слайд 23

Соответствие цоколевки * FRAM имеют ту же цоколевку, что и SRAM с батарейкой, но SMD корпуса имеют меньшие габариты.


Слайд 24

Логика с памятью Управление реле и клапанами Интерфейс переключателей и индикаторов передней панели Замена перемычек и управляющих сигналов Инициализация состояния входов и выходов Сохранение состояния и диагностика ошибок при отключении питания Не требуется последовательная память, если нужны несколько бит 8-разрядный регистр с памятью


Слайд 25

Применения FRAM Сбор данных Сохранение конфигурации Замена и расширение ОЗУ Буфер для хранения параметров


Слайд 26

Некоторые применения Сбор данных Счетчики электричества Счетчики воды, газа Измерители Счетчики игрушек Системы идентификации Медицинские датчики Маркеры Спидометры Хранение конфигурации Лазерные принтеры Копировальные аппараты Телефоны Кассовые аппараты Set top box Видеоустройства Интерфейсы ProfiBus Энергонезависимый буфер Буфер RAID диска Файловая таблица PDA Управление двигателем Системы автоматического регулирования Промышленные системы Банкомат Замена и расширение ОЗУ Поддержка микроконтроллеров Считываетль магнитных карт Автомобильное радио


Слайд 27

Ближайшее развитие


×

HTML:





Ссылка: