'

Обменное усиление g-фактора в двумерном электронном газе

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Обменное усиление g-фактора в двумерном электронном газе Криштопенко С.С. Образовательный семинар аспирантов и студентов 11 ноября, ИФМ РАН, 2010


Слайд 1

Одноэлектронная задача в параболической зоне


Слайд 2

Методы измерения g-фактора в 2D электронном газе


Слайд 3

Обменное усиление g-фактора в 2D электронном газе


Слайд 4

Обменное усиление g-фактора в 2D электронном газе


Слайд 5

2D электронный газ в КЯ InAs возникает вследствие ионизации доноров на поверхности покрывающего слоя GaSb и глубоких доноров в барьерах AlSb, что приводит к возникновению встроенного электрического поля. Пунктирной линией показано положение Г-долины в зоне проводимости AlSb. Зонная структура номинально нелегированных образцов InAs /AlSb


Слайд 6

Мотивации для теоретического исследования обменного усиления g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb


Слайд 7

Осцилляции g-фактора 2D электронов в квантующих магнитных полях


Слайд 8

Приближение Хартри и модель Кейна


Слайд 9

Учёт уширения уровней Ландау Энергия Ферми определяется из нормировки полной плотности состояний:


Слайд 10

Уровни Ландау и положение уровня Ферми в приближении Хартри


Слайд 11

Поправки, связанные с обменным взаимодействием Кулоновская функция Грина Экранировка в приближении Томаса-Ферми:


Слайд 12

Уровни Ландау квазичастиц и положение уровней Ферми в приближении Хартри-Фока


Слайд 13

Осцилляции g-фактора в КЯ InAs/AlSb от магнитного поля


Слайд 14

Обменное усиление g-фактора в 2D электронном газе в КЯ InAs/AlSb


Слайд 15

Сравнение с экспериментом в умеренных магнитных полях


Слайд 16

Сравнение с экспериментом в Phys. Rev. B 47, 13937 (1993).


Слайд 17

Основные результаты работы Впервые в рамках модели Кейна в «экранированном» приближении Хартри-Фока с учётом уширения уровней Ландау выполнены количественные расчёты обменного усиления g-фактора квазичастиц в КЯ AlSb/InAs/AlSb с непараболическим законом дисперсии в зоне проводимости. Впервые показано, что обменное взаимодействие, приводит к усилению g-фактора как при нечётных так и при чётных факторах заполнения уровней Ландау. Впервые продемонстрировано, что амплитуда и форма осцилляций усиленного g-фактора квазичастиц определяется не только электрон-электронным взаимодействием, но и величиной уширения уровней Ландау вследствие случайного потенциала.


Слайд 18

Спектр и циклотронная масса в модели прямоугольной КЯ AlSb/InAs/AlSb.


Слайд 19

Учёт электрон - электронного взаимодействия Задача о нахождении кулоновской функции Грина в плоскослоистой среде


Слайд 20

Восьмизонный гамильтониан Кейна Гетероструктуры InAs/AlSb выращиваются на плоскости (001), при росте на этой плоскости тензор деформации может иметь только три отличные от нуля компоненты: eXX=eYY, eZZ. Оси x, y, z направлены вдоль [100], [010], [001] соответственно.


Слайд 21

Поправки, связанные с обменным взаимодействием Кулоновская функция Грина Кулоновская функция Грина


×

HTML:





Ссылка: