'

ОПТИЧЕСК РАЗРЯДА Золотухин А.А., Московский государ физический

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

ОПТИЧЕСК РАЗРЯДА Золотухин А.А., Московский государ физический


Слайд 1

АЯ СПЕКТРОСКО В CH4:H2 ГАЗОВО Устинов А.О., Волков А.П., Обра ственный университет им. М. факультет E-mail: zolotukh@po


Слайд 2

ПИЯ ПЛАЗМЫ Й СМЕСИ зцов А.Н. В. Ломоносова lly.phys.msu.ru


Слайд 3

Введение Газофазное химическое осаждение (ГФХО) является одним из наиболее эффективных методов получения различных углеродных материалов. Фазовый состав, структурные особенности и другие свойства ГФХО пленок определяются условиями активации газовой смеси. В данной работе представлены результаты in-situ исследования процесса ГФХО углеродных материалов методом оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС). ОЭС плазмы газового разряда регистрировались при варьировании основных параметров ГФХО процесса, включая давление и состав газовой смеси. Состав, структурные характеристики полученных углеродных пленок изучались методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Полученные данные были проанализированы с целью выявления корреляций между параметрами процесса ГФХО, ОЭС плазмы и характеристиками углеродных пленок, а также для определения механизмов формирования пленочных углеродных материалов различного фазового состава.


Слайд 4

Схема процесса ГФХО


Слайд 5

Газовый разряд в смеси CH4:H2 Характерный вид положительного столба в процессе ГФХО для чистого водорода (a) и водородо-метановой смеси при 8 % (b) и 25 % (с) CH4. Давление газа 80 Торр. В качестве подложки использовалась Si пластина диаметром 50 мм, помещенная на анод установки. Напряжение разряда 650 В (а), 750 В (b), 850 В (c). Ток разряда 7 А (а), 6 А (b), 5 А (c).


Слайд 6

Установка для регистрации ОЭС.


Слайд 7

ОЭС плазмы в смеси CH4:H2 Типичные ОЭС для чистого водорода (A), и для водородо-метановой смеси при 8 % (B) и 25 % (C) CH4. Давление газа 80 Торр, напряжение разряда 650 В (A), 750 В (B), 850 В (C). Ток разряда 7 А (A), 6 А (B), 5 А (C).


Слайд 8

Механизм осаждения алмазмых пленок Нуклеация и рост алмазных пленок [Bradley A. Fox chapter Diamond Films, THIN FILM TECHNOLOGY HANDBOOK]


Слайд 9

Осаждаясь, димеры С2 образуют на поверхности преимущественно атомные цепочки (1), а не кластеры (2) благодаря ориентации свободных связей. Происходит образование небольших кристаллитов графита (3) и (4). Формирование нанотрубки может быть инициировано изгибанием графитного листа в начальной стадии (4) или же при достижении некоторой критической высоты. Предлагаемый механизм образования нанокристаллического графита и нанотрубок в процессе ГФХО Осаждение графитоподобных пленок


Слайд 10

Морфология поверхности РЭМ изображения углеродной наноструктурированной пленки (А), (В) и поликристаллической алмазной пленки (С), полученных осаждением из газовой фазы. углеродных пленок A B C


Слайд 11

Выводы В плазме разряда наряду с рекомбинационными линиями атомарного и молекулярного водорода были зарегистрированы линии, соответствующие CH и С2. Интенсивность линий, соответствующих димерам С2 существенно возрастает с увеличением концентрации метана.При концентрациях метана выше 15 % наблюдается интенсивное желто-оранжевое свечение периферийных областей плазмы. Спектральные характеристики этого свечения соответствуют нагретому до высокой температуры материалу, что позволяет предположить конденсацию углерода непосредственно в газовой фазе. Наличие углеродных димеров в газовой фазе определяет механизм образования углеродных пленок на подложке. При высокой концентрации димеров С2 происходит преимущественный рост графитоподобной фазы, при низких концентрациях образуется поликристаллическая алмазная пленка. Благодарность Работа была выполнена при поддержке гранта INTAS No 01-254.


×

HTML:





Ссылка: