'

Программа Model

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Программа Model Подготовка описания модели для программы MC6, MC7


Слайд 1

2 ОКНО ПРОГРАММЫ MODEL


Слайд 2

3 В таблицу данных заносят данные по току коллектора и напряжения база эмиттер в режиме насыщения.


Слайд 3

4 Схема измерения ВАХ


Слайд 4

5 Определение тока коллектора насыщения и соответствующего ему напряжения эмиттер-база насыщения (в эксперименте определяется ток базы насыщения)


Слайд 5

6 Определение напряжения насыщения по заданному току базы насыщения.


Слайд 6

7


Слайд 7

8 Результат расчета после инициализации и оптимизации


Слайд 8

9


Слайд 9

10 Расчет поле двух введенных точек, ошибка расчета 4.5%


Слайд 10

11 Следующее окно (горячие клавиши CTRL/->) Зависимость выходной проводимости от тока коллектора


Слайд 11

12 Расчет ведется по выходной характеристике. Но можно задать напряжение Эрли и из геометрических построения на выходной характеристике. hoe=dIc/dVce dIc=1.040 mA dVce=2.595 V


Слайд 12

13 Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от тока коллектора Ic


Слайд 13

14 Значения статического коэффициента усиления тока в схеме ОЭ, B как функция от тока коллектора Ic


Слайд 14

15 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора


Слайд 15

16 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.


Слайд 16

17 Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора, при заданном отношении тока коллектора к току базы. Это (Ic/Ib) отношение определяется из выходных и входных характеристик.


Слайд 17

18 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.


Слайд 18

19 Барьерная емкость перехода коллектор-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.


Слайд 19

20 Барьерная емкость перехода эмиттер-база. Таблица значений. В справочнике может быть приведено только одно значение. Примечание: Напряжение обратного смещения всегда берется положительным.


Слайд 20

21 Таблица времени рассасывания от тока коллектора. При заданном отношении токов коллектор/база. Этот параметр может быть оценен по ориентировочно из технологических параметров транзистора.


Слайд 21

22 Создание файла (*.lib) – текстового файла описания параметра модели. Создание файла (*.lbr) – двоичного файла описания параметра модели.


Слайд 22

23 Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока Ft в схеме с ОЭ от тока коллектора. Этот параметр может быть оценен по приведенным в справочнике данных о частоте Fbeta


×

HTML:





Ссылка: