'

Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству.

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0


Слайд 1

Основано в 1946 году Имеет огромный опыт в разработке и производстве ИК-техники Занимает лидирующее положение на российском рынке по разработке и производству микрофотоэлектроники ФГУП «НПО «Орион»


Слайд 2

Задача Ориона Разработка и производство передовых микрофотоэлектронных приборов, удовлетворяющих специфическим нуждам различных областей науки и производства


Слайд 3

Наши Заказчики Наши клиенты представляют оборонные и охранные предприятия, НИИ, медицинские учреждения и другие организации российского рынка высоких технологий Мы разрабатываем приборы удовлетворяющие особым требованиям индивидуальных потребителей Мы адаптируем стандартные приборы под специфические требования заказчиков Среди наших клиентов: Красногорский завод имени С.А. Зверева Ломо, Санкт-Петербург Уомз, Екатеринбург


Слайд 4

Руководящее звено Ориона Филачёв Анатолий Михайлович генеральный директор ФГУП «НПО «Орион» Корнеева Марина Дамировна первый заместитель генерального директора – директор по экономике и финансам Пономаренко Владимир Павлович первый заместитель генерального директора по научной и производственной работе


Слайд 5

Орион Сегодня Высококвалифицированные кадры учёных и инженеров 60-летний опыт производства высоких технологий Растущее число производственных заказов Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Широкий фронт работ по переорганизации и реконструкции производственных площадей


Слайд 6

Высокопрофессиональные исследовательские группы Более чем полувековой опыт высокотехнологичес-кого производства Растущее число выпускаемой продукции Полное переоснащение и восстановление производственных возможностей Управление качеством


Слайд 7

Для регистрации импульсного лазерного излучения и волоконно-оптических линий связи Неохлаждаемые Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Число элементов (каналов) от 1 до 128 Высоко скоростные, лавинные фотодиоды, pin-фотодиоды Фотодиоды и Фотоприёмные устройства на основе Si, Ge, InGaAs для спектрального диапазона 0,4…1,55 мкм


Слайд 8

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства Количество элементов (каналов) от 1 до 256 Не охлаждаемые и с термоэлектрическим охлаждением С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотоприёмники и фотоприёмные устройства на основе фоточувствительных плёнок PbS, PbSe для спектрального диапазона 1 - 5 мкм


Слайд 9

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства С предусилителями и интегральными считывающими устройствами Число элементовов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства С охлаждением Стирлинга С различными вариантами корпусов и бескорпусные Фотодиоды и фотоприёмные устройства на основе InSb для спектрального диапазона 3…5 мкм


Слайд 10

Фотоприёмники и фотоприёмные устройства С охладителями Стирлинга и термоэлектрическим охлаждением С предусилителями и интегральными считывающими микросхемами Число элементов от 1 до сотен тысяч Линейные и матричные фотоприёмные устройства Фотоприёмники и Фотоприёмные устройства и фотодиоды на основе фоточувствительных плёнок из CdHgTe для спектрального диапазона 3…5 и 8…12 мкм


Слайд 11

Лавинные германиевые фотодиоды для волоконно-оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волны, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 35 – 45 Чувствительность (при 1•10-11 А?Гц-1/2), А?Вт-1 ?6 Ёмкость, пФ ? 2 Время нарастания, нс ? 2


Слайд 12

InGaAs фотодиоды для волоконно-оптических линий связи Основные характеристики Рабочие длины волн, мкм 1,3 и 1,55 Рабочее напряжение, В 10 Диаметр фоточувствительной площадки, мкм 200 Темновой ток, нА ?10 Токовая чувствительность, А?Вт-1 на ?=1,3 мкм, А/Вт ?0,6 на ?=1,55 мкм,А/Вт ?0,8 Ёмкость, пФ ?2 Время нарастания, нс ?2 Рабочее напряжение, В 10 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +85


Слайд 13

Лавинные кремниевые фотодиоды Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 0,8 – 0,9 Чувствительность (при 1·10-12 А?Гц-1/2), А?Вт-1 ?20 Рабочее напряжение, В 70 - 400 Ёмкость, пФ ?3 Время нарастания, нс ?3 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +85 Диаметр сечения оптического волокна, мкм 300


Слайд 14

Фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 0,95 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 5 Пороговая импульсная чувствительность (при ?вх=100 нс), Вт (1,95 – 3,25)·10-6 Напряжение питания, В 6,5 – 10,5 Ток потребления при (Рф=4 мВт) ?7 Амплитуда импульсов на выходе, В ?5 Диапазон рабочих температур, оС от -20 до +50


Слайд 15

8 канальное фотоприёмное устройство на основе кремниевого pin-фотодиода Основные характеристики Рабочая длина волны, мкм 1,06 Порог чувствительности (Uс/Uш=1),Вт наружные площадки ?1,0•10-7 внутренние площадки ?0,6•10-7 Вольтовая монохроматическая импульсная чувствительность, В/Вт 1•10-4 Разброс чувствительности между площадками, % ?15 Динамический диапазон выходных сигналов от уровня шума, дБ наружные площадки ?57 внутренние площадки ?70 внутренние площадки в режиме «Ослаблено» ?100 Напряжение питания ФПУ, В фотодиодов 200±10 усилителей ±12


Слайд 16

Пороговый германиевый фотодиод Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Диаметр эффективной площадки, мм 1,1 Плоский угол зрения 40° Спектральный диапазон, мкм 0,8 – 1,6 Токовая чувствительность на ?=1,06 нм, А/Вт 0,5 на ?=1,55 нм, А/Вт 0,55 Обнаружительная способность при ?max, Вт-1•см•Гц1/2 3•1010 Время нарастания/спада переходной характеристики, нс ?40 Динамический диапазон 1•107 Темновой ток, мкА ?10 Ёмкость, пФ ?100 Масса, г 2 Рабочее напряжение, В 10


Слайд 17

Фотоприёмное устройство на основе Si фотодиода Основные характеристики Количество чувствительных элементов 1 Спектральный диапазон, мкм 0,4 – 1,1 Диаметр фоточувствительной площадки, мм 0,45 – 0,55 Параметры выходного сигнала амплитуда, В 2,5 – 4,5 длительность, нс 50-120 полярность положительная время нарастания , нс ?15 Напряжение питания фотодиода, В 100±10 Ток потребления по цепи усилителя, мА ?45 Диапазон рабочих температур, оС от -40 до +60 Габаритные размеры, мм O30?6,5


Слайд 18

Фоторезисторы на основе PbS и PbSe Основные характеристики


Слайд 19

Матричное фотоприёмное устройство на основе CdHgTe


Слайд 20

Одноэлементные неохлаждаемые фоторезисторы на основе PbSe Основные характеристики


Слайд 21

Фотоприёмное устройство на основе CdHgTe детекторах Основные характеристики


Слайд 22

Фотоприёмное устройство на основе PbSe с термоэлектрическим охлаждением Основные характеристики


Слайд 23

Электронно-лучевая установка


Слайд 24

Ионно-лучевая установка


Слайд 25

Электронно-лучевая пушка


Слайд 26

Ионные источники


Слайд 27

Для связи ФГУП "НПО "ОРИОН" 111123, Россия, Москва, Энтузиастов ш., дом 46/2 Телефон: +007 (095) 176 1639, 374 9400 Факс: +007 (095) 368 80 80, 374 9400 E-mail: root@orion.extech.ru, orion@sweet-com.ru Контактные лица: Левенец Н.П. – начальник управления по маркетингу Телефон: +007 (095) 374 4020


×

HTML:





Ссылка: