'

УП «ЗАВОД ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

УП «ЗАВОД ТРАНЗИСТОР» Новые разработки изделий спецназначения


Слайд 1

Система менеджмента качества УП «Завод Транзистор» Система менеджмента качества при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем соответствуют требованиям МС ИСО 9001-2001, ГОСТ В 22468-77, ГОСТ В 28146-89, ОСТ В 11 0398-2000, ОСТ В 11 336.018-82, ОСТ В 11 0998-99, ОСТ В 11 1010-2001


Слайд 2

Таблица 1. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.


Слайд 3

Продолжение Таблицы 1.


Слайд 4

Продолжение Таблицы 1.


Слайд 5

ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, РАЗРАБОТАННЫЕ В 2003 – 2009 г.г.


Слайд 6

1 – затвор 2 – сток 3 – исток Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом и с повышенной стойкостью к СВВФ. Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254 Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 - 4х4Ус, 7С1 - 100х1Ус, 7С4 - 2х1Ус, 7К1 - 5х1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2 Уровень бессбойной работы при воздействии специальных факторов 7И с характеристикой 7И8 (по критерию Iс ост = 5 мА), составляет (0,9 х 10 –4) х 2Ус (по критерию Iс ост = 500 мА) составляет 0,02 х 1Ус. Предельно-допустимые режимы эксплуатации


Слайд 7

Предельно-допустимые режимы эксплуатации Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 2Ус, 7И6 - 2Ус, 7И7 - 2Ус, 7С1 - 2Ус, 7С4 - 2Ус, 7К1 – 1.К, 7К4 - 0,1х1.К ГОСТ РВ 20.39.414.2 Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, обогащением p-канала, встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение: металлокерамический корпус ТО-254


Слайд 8

Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации микросхем АЕЯР.431420.495ТУ, АЕЯР.431420.495-01ТУ Микросхемы ШИМ - контроллеров импульсных источников питания с обратной связью по току (зарубежный аналог UC1842, UC 1843, UC 1844, UC 1845) 1114ЕУ7УИМ, 1114ЕУ7Н4ИМ 1114ЕУ8УИМ, 1114ЕУ8Н4ИМ 1114ЕУ9УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ 1114ЕУ10УИМ, 1114ЕУ9Н4ИМ Корпусное исполнение Н02.8 – 2В, возможность поставки бескорпусного варианта


Слайд 9

Таблица 2. ИЗДЕЛИЯ С ПРИЕМКОЙ ЗАКАЗЧИКА, ОСВАИВАЕМЫЕ В 2010 г.


Слайд 10

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. 2П524А9 , 2П524А-5 , АЕЯР.432140.519ТУ n-канальный МОП полевой транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой переключательный транзистор с изолированным затвором, логическим уровнем управления, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Корпусное исполнение КТ-99-1, возможность поставок бескорпусного варианта Значения характеристик: 7И1 по группе исполнения 3Ус, 7И6 - 4Ус, 7И7 – 4x4Ус, 7И8 - 2 х 10Е-5 х 1Ус, 7С1 - 5x4Ус, 7С4 - 1Ус, 7К1 – 5x1К, 7К4 - 0,5х1К ГОСТ РВ 20.39.414.2


Слайд 11

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. 2ТД543А, АЕЯР.432150.538ТУ, Cоставной биполярный n-p-n транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор


Слайд 12

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ 2010г. СВЧ диод Шоттки и набор СВЧ диодов Шоттки в малогабаритном пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа КТ-46А Функциональное назначение диодов использование в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Один диод в корпусе Набор диодов (два последовательно соединённых диода) Значения электрических параметров диодов при приемке (поставке), эксплуатации (в течение наработки) и хранении (в течение срока сохраняемости) [ Тср = (25 ?10) ?С]


Слайд 13

ИЗДЕЛИЯ В РАЗРАБОТКЕ «Диод Шоттки и набора диодов Шоттки в малогабаритном пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа» Предельно-допустимые значения электрических параметров и режимов эксплуатации Значения характеристик специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К во время и непосредственно после воздействия которых диод должен выполнять свои функции


Слайд 14

Таблица 3. СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ новых изделий


Слайд 15

СТОЙКОСТЬ К СПЕЦФАКТОРАМ


Слайд 16


×

HTML:





Ссылка: