'

Полупроводники

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Полупроводники Электронно-дырочный переход


Слайд 1

Полупроводники Полупроводники – элементы IV группы таблицы Менделеева Наиболее часто используются Ge,Si При нагревании полупроводников их электрическое сопротивление падает, а не возрастает, как у металлов R T T R Проводники Полупроводники


Слайд 2

Строение полупроводников При небольшой температуре все атомы полупроводника жестко связаны ковалентной парноэлектронной связью. Свободные носители заряда отсутствуют, и сопротивление полупроводника бесконечно высоко


Слайд 3

Строение полупроводников При нагревании часть связей разрывается и некоторые электроны становятся свободными. На том месте, где были электроны, появляются положительные заряды - дырки + + + Свободные электроны Дырки


Слайд 4

Строение полупроводников Под действием электрического поля электроны начинают двигаться в одну сторону, а дырки – в противоположную, и через полупроводник течет ток. + + + + -


Слайд 5

Строение полупроводников Для обогащения полупроводника свободными электронами используют донорные примеси – пятивалентный мышьяк As. Полупроводники с избыточными электронами называются полупроводниками n-типа


Слайд 6

Строение полупроводников Для обогащения полупроводника свободными дырками используют акцепторные примеси – трехвалентный индий In. Полупроводники с избыточными дырками называются полупроводниками P-типа +


Слайд 7

Примесная проводимость + «Лишние электроны в полупроводниках n-типа и «лишние» дырки в полупроводниках р-типа обеспечивают ПРИМЕСНУЮ ПРОВОДИМОСТЬ


Слайд 8

Электронно-дырочный переход При сплаве двух полупроводников разного типа на их границе возникает электронно-дырочный переход (p-n – переход) При отсутствии напряжения на краях полупроводника в месте перехода существует собственное поле Е’, зона перехода обеднена носителями заряда и имеет большое сопротивление p n p n Е’ + + + + + - - - - - - Запирающий слой


Слайд 9

Электронно-дырочный переход При подключении к краям полупроводника напряжения таким образом (прямое подключение), через зону перехода течет ток, она сужается и ее сопротивление резко падает. Через полупроводник идет большой ток. При обратном включении внешнее поле усиливает поле запирающего слоя, запирающий слой увеличивается в размерах. Через полупроводник ток почти не идет. p n + - I p n + -


Слайд 10

Односторонняя проводимость p-n - перехода Как видно, p-n – переход проводит ток только в одном – прямом направлении. Это свойство перехода лежит в основе полупроводниковых диодов – устройств, проводящих ток только в одном направлении. I U Вольт-амерная характеристика полупроводникового диода


×

HTML:





Ссылка: