'

ПРОГРАММА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ПЕРЕПОДГОТОВКИ

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

ПРОГРАММА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ПЕРЕПОДГОТОВКИ


Слайд 1

Карта участников и партнеров программы 5 Ведущих отечественных и зарубежных компаний 4 Ведущих Российских вуза Ведут подготовку технологов и проектировщиков СВЧ МИС мирового уровня


Слайд 2

Преподаватели программы 16 Кандидатов наук 10 Докторов наук 16 Ведущих отечественных и зарубежных специалистов 42 Преподавателя


Слайд 3

Участники выполнения программы (вузы)


Слайд 4

Участники выполнения программы (вузы)


Слайд 5

Участники выполнения программы (компании)


Слайд 6

Иностранные участники


Слайд 7

Направления подготовки специалистов Проектирование СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) Технология СВЧ МИС Очная форма обучения Оборудование для производства монолитных интегральных схем (МИС)


Слайд 8

Программа профессиональной подготовки


Слайд 9

Программа профессиональной подготовки


Слайд 10

Программа профессиональной подготовки


Слайд 11

Основные профессиональные компетенции Владение основными понятиями, законами и моделями полупроводниковой гетероструктурной инженерии на базе знаний: элементов квантовой механики; физики гетеропереходов; физики низкоразмерных структур; транспортных и оптических явлениях в низкоразмерных полупроводниковых структурах; приборов на гетеропереходах и низкоразмерных структурах; направлений дальнейших исследований и инженерных разработок в области наноэлектроники. 1


Слайд 12

Основные профессиональные компетенции Владение основными понятиями, законами и моделями наноэлектроники, основными видами и свойствами нанообъектов, наноматериалов, типовыми методами исследования свойств нанообъектов, технологическими процессами их получения на базе знаний: физических основ наноэлектроники; квантовых структур и наноматериалов; современных методов формирования наноструктур; актуальных способов формирования квантово-размерных наноструктур; квантовых эффектов; устройств наноэлектроники; зондовых нанотехнологий создания элементной базы наноэлектроники; элементной базы наноэлектроники на основе гетероструктур 2


Слайд 13

Основные профессиональные компетенции Владение оборудованием для создания и исследования свойств объектов наноэлектроники на базе знаний: методов исследования наноструктур с помощью сканирующей зондовой микроскопии; технологий и оборудования оптической литографии и литографии с помощью сканирующих электронных и ионных пучков; методов анализа технологии и выбора требуемого оборудования для исследований и изготовления наноструктур 3


Слайд 14

Основные профессиональные компетенции Владение основами схемотехники, разработки и проектирования наногетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений и твёрдых растворов, автоматизированными средствами проектирования на базе знаний: классических матриц многополюсников; связи между различными системами параметров; применения классических матриц многополюсников; волновой системы параметров; коэффициента отражения; матрицы рассеяния волн мощности; связи матрицы параметров рассеяния с классическими матрицами; обобщенных параметров рассеяния; свойств матрицы рассеяния для различных классов СВЧ цепей; матриц рассеяния простейших четырехполюсников и их соединений и умения проводить анализ СВЧ цепей с применением общей теории многополюсников 4


Слайд 15

Основные профессиональные компетенции Владение основами технологии производства интегральных схем на кремнии с нанометровыми топологическими нормами на базе знаний: геттерирования, очистки и пассивации поверхности полупроводниковых подложек; субмикронной литографии; ионного легирования полупроводников; быстрого термического отжига; ионного и плазмохимического травления микроструктур; осаждения металлов и диэлектриков; планаризации рельефа; формирования транзисторов в приповерхностных слоях кремния (FEOL); формирования межэлементных соединений и межуровневой разводки (BEOL) 6


Слайд 16

Основные профессиональные компетенции Владение основами технологии и оборудованием для производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений и твёрдых растворов на базе знаний элементной базы цифровых ИС на основе наноструктур арсенида галлия; омических контактов к эпитаксиальным структурам и гетероструктурам арсенида галлия; приборов и ИС на основе туннельно-резонансных гетероструктур; электрических схем основе ТРД и ПТШ, изготовления дискретных РТД, проверки воспроизводимости РТД структур; отработки технологии выращивания полупроводниковых гетероструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами для создания монолитно-интегрированных элементов наноэлектроники 7


Слайд 17

Ресурсы программы Научно-образовательный центр по направлению «нанотехнологии» ТУСУРа Лаборатории кафедр ТУСУРа - физической электроники (ФЭ), компьютерных систем управления и проектирования (КСУП) Пилотная линия микро-наноэлектроники ЗАО «НПФ «Микран» Дизайн-центр ЗАО «НПФ «Микран», НИИ Систем электрической связи ТУСУРа и кафедры КСУП Ресурсы Национального исследовательского Московского института (технического университета) электронной техники (МИЭТ)


Слайд 18

Перечень УМК (образцы пособий)


Слайд 19

Спасибо за внимание!


×

HTML:





Ссылка: