'

Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 108 В/см, в – форма барьера (S) в то же электрическом поле, но с учетом сил зеркального отображения.

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Трансформация потенциального барьера вблизи поверхности металла под действием электрического поля: а – без поля, б – в поле (F), величиной 108 В/см, в – форма барьера (S) в то же электрическом поле, но с учетом сил зеркального отображения. Вероятность выхода прохождения электронов из поверхности Р равна: Полевая электронно-эмиссионная микроскопия -ПЭЭМ


Слайд 1

Умножение Р на число электронов, приходящихся на единицу поверхности в единицу времени дает плотность тока полевой эмиссии J. Строгое выражение для J было получено Фаулером и Нордгеймом. В сжатом виде уравнение Фаулера и Нордгейма можно переписать в виде где a, b и c - постоянные , I - ток эмиссии, V – приложенный к металлу потенциал. Очевидно, график ln(I/V 2) должен быть линеен, и его наклон пропорционален ?3/2 .


Слайд 2

Упрощенная схема полевого электронно-эмиссионного микроскопа (ПЭЭМ): 1 – охлаждаемая жидким азотом заостренная металлическая игла, 2 – полупрозрачный люминесцентный экран, 3 - корпус вакуумной емкости, 4 – прозрачное окно для наблюдения и регистрации свечения. Поле на поверхности заостренной иглы определяется выражением F=V/rk, где k - постоянная, равная ~ 5. При напряжении 104 В, приложенным между катодом и анодом, возникает полевая эмиссия, так как поле на такой заостренной игле составляет 109 ?1010 В/см. Объект с линейными размерами ? на поверхности иглы увеличивается в x/r раз и возникает на экране с размером D (a и b – траектории движения электронов). Предел разрешения 2 нм.


Слайд 3

Полученное в полевом электронно-эмиссионном микроскопе изображение поликристаллического вольфрамового острия (увеличенное 105). ПЭЭМ изображение представляет собой карту проекции работы выхода электронов из кристаллографических плоскостей: проекцию плоскости {110}, расположенную в центре, и проекции четырех плоскостей {112}, расположенных симметрично вокруг нее. Плоскости {110} и {112} характеризуются более высокими значениями работы выхода, чем окружающие их плоскости, поэтому они проявляются в виде темных пятен на более ярком фоне, которые характеризуются более высокими значениями ?, чем окружающие их плоскости. Изображение в ПЭЭМ чистой поверхности W


Слайд 4

Изображения «отдельных» молекул, адсорбированных на кончике вольфрамовой иглы, полученные с помощью ПЭЭМ: а - медь-фталоцианин (его структурная формула - C32H16Cu - внизу рисунка); б - флавантрен (его структурная формула C18H12N2O2- внизу рисунка).


Слайд 5

Схематическое изображение эмиссии электронов из молекулярных структур, адсорбированных на поверхности вольфрамового эмиттера, объясняющее образование изображений от «отдельных» молекул.


Слайд 6

Потенциальная энергия атома гелия: а – изолированный атом, б – изолированный атом внешнем электрическом поле, в – изолированный атом вблизи положительно заряженной металлической поверхности (4 A – оптимальное расстояние для автоионизации Не). Полевая ионная микроскопия


Слайд 7

Схема перемещения и ионизации атома гелия вблизи поверхности положительно заряженной вольфрамовой иглы. 1- выступающие на краях кристаллографических плоскостей атомы, вблизи которых электрическое поле максимально.


Слайд 8

Сравнение смоделированных (а) и (б) ПИМ изображений кончика иглы W с экспериментальным ПИМ изображением кончика W иглы (в), из которого ясно почему видимые в ПИМ отдельные атомы W расположены как бы в виде колец.


Слайд 9

ПИМ изображение с атомарным разрешением одного и того же участка кончика иглы из сплава Ni7Zr2: а –до воздействия импульса электрического поля, б - после воздействия импульса напряжения (стрелкой указано место, которое покинул атом под действием электрического поля). Этот эффект используется в ПИМ с атомным зондом. Полевое испарение атома в ПИМ


Слайд 10


×

HTML:





Ссылка: