'

Конструктивно-технологический базис микро- и наносистем измерения магнитного поля

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Конструктивно-технологический базис микро- и наносистем измерения магнитного поля д.т.н. А.А. Резнев, НИИ ФСБ РФ (Россия)


Слайд 1

Сегменты рынка магнитных наноизделий Датчики и преобразователи магнитного поля; Датчики электрического тока; Гальванические развязки; Запоминающие устройства с произвольной выборкой; Спиновые транзисторы; Биосенсорные микроаналитические устройства; Электронные компасы; Датчики положения; Магниточувствительные и магнитоуправляемые интегральные схемы; Прочие магнитные наноизделия.


Слайд 2

Разновидности МР эффектов и основные магниторезистивные наноструктуры Анизотропный магниторезистивный эффект (АМР) , (1) ЗС/М1/РС/М2/ЗС, (??/?) = 1,5-2,5 % М1, М2 (Fе19Ni81 или FeNiCo) - 15?25 нм ЗС и РС (Ti или Ta) – 5-6 нм Гигантский магниторезистивный эффект (ГМР) (2) (3) М1/НМ/М2/ФС – СВМР, (??/?) = 5-50 % M1/D/M2/ФС – СТМР, (??/?) > 50 % М1 и М2 (FeNiCo) – 20-30 нм; ФС (FеМn, IrMn) – 10-20 нм; НМ (Cu, Au) и D (Al2O3 и MgO) – 1,5-2,5 нм где (??/?) - величина МР эффекта, ? ? угол между вектором намагниченности плёнки и протекающим через наноструктуру током, ?- смещение, из-за наличия оси легкого намагничивания, размагничивающих полей и других факторов


Слайд 3

Метод теоретического анализа статических характеристик многослойных тонкопленочных МР E = Ek + Em + Er + EH; Ek = Khdhsin?h + Kldlsin?l; Em = 0,5dh(MhHr,h) + 0,5dl(MlHr,l); Er = ?dh(MhHr,l) ? dl(MlHr,h); EH = ?dh(MhH) ? dl(MlH); (?h , ?l )=argmin E где Еk ? энергия анизотропии; Еm ? магнитостатическая энергия; Еr ? энергия взаимодействия двух МР пленок; ЕH ? энергия во внешних магнитных полях Н, включая магнитные поля, создаваемые токами в проводниках и сенсорного тока в МР полоске; h и l ? индексы, обозначающие высоко- (ВП) и низкоанизотропную (НП) МР пленки, Кh и Кl ? константы магнитной анизотропии ВП и НП; dh и dl ? толщины МР пленок; ?h и ?l ? углы между осью лёгкого намагничивания (ОЛН) и векторами намагниченности Мh и Мl; Нr,h и Нr,l ? поля размагничивания, возникающие на краях МР наноструктуры.


Слайд 4

Конструкции анизотропных магниторезистивных преобразователей (АМРП)


Слайд 5

Разработанная конструкция АМРП Патент № 2279737 на изобретение «Магниторезистивный датчик» Патент № 2320051 на изобретение «Способ изготовления магниторезистивных датчиков » Патент № 2312429 на изобретение «Магниторезистивный датчик»


Слайд 6

ВЭХ АМРП на основе FeNi и FeNiCo


Слайд 7

Результаты экспериментальных исследований АМРП


Слайд 8

Двумерное и трехмерное распределение магнитного поля от объектов с помощью трехмерной матрицы АМРП


Слайд 9

Благодарю за внимание


×

HTML:





Ссылка: