'

Установка для определения электротепловых параметров и характеристик мощных транзисторов MOSFET и IGBT

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Установка для определения электротепловых параметров и характеристик мощных транзисторов MOSFET и IGBT Автор проекта: А. Е. Лысенков


Слайд 1

Актуальность 1. В настоящее время мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются главными элементами силовой электроники. 2. Опыт их эксплуатации показывает, что MOSFET и IGBT — одни из самых ненадёжных приборов в электронике. 3. Наиболее эффективный способ повышения надёжности силовых полупроводниковых приборов — подбор по электротепловым параметрам. На данный момент в отечественной промышленности нет методик и оборудования, позволяющих осуществлять контроль качества транзисторов. 4. Создание и внедрение методов контроля качества и подбора мощных MOSFET и IGBT, а также технических средств позволит: увеличить надёжность транзисторов и преобразователей; сократить расходы на обслуживание преобразователей и эксплуатацию приборов, снизить материальный ущерб в результате уменьшения количества отказов.


Слайд 2

Цель проекта Создание высокопроизводительного диагностического оборудования для контроля качества силовых транзисторов с полевым управлением MOSFET и IGBT по электротепловым параметрам и характеристикам.


Слайд 3

Научная новизна 1. Разработаны математические модели силовых транзисторов с полевым управлением для исследования электротепловых процессов, протекающих в них при эксплуатации. 2. Разработан метод определения значений электротепловых параметров мощных транзисторов MOSFET и IGВТ.


Слайд 4

Математическая модель ТПУ МЭП – модель электрических процессов (rDS(on) – сопротивление канала в открытом состоянии, ДТ – датчик тока, ДН – датчик напряжения, УМ – умножитель). ТМ – тепловая модель (Rthd и Cthd – тепловое сопротивление и теплоёмкость кристалла, Rthh и Cthh – корпуса, Rths и Cths – теплостока). где Tj – температура кристалла; a, b, с – коэффициенты.


Слайд 5

Функциональная схема измерительного комплекса 1. Устройство реализовано с помощью средств, предлагаемых компанией National Instruments. 2. Программная часть выполнена в среде графического программирования LabVIEW. 3. Связь ПК с аппаратной частью осуществляется с помощью универсальной платы сбора данных NI PCI-6251. Рис. 1 — Функциональная схема комплекса


Слайд 6

Макет разрабатываемого диагностического комплекса


Слайд 7

Гистограммы распределений величин параметров и характеристик группы транзисторов


Слайд 8

1. Заводы изготовители: а) ОАО «Электровыпрямитель», б) группа предприятий «Ангстрем», в) ОАО «ОКБ „Искра“», г) ЗАО «Группа-Кремний» и др. 2. Большое количество предприятий, занимающихся разработкой и созданием электрических преобразователей и систем управления на основе MOSFET и IGBT. Потенциальные потребители


Слайд 9

Использование программно-аппаратного измерительного устройства позволит: 1) при разработке и проектировании транзисторов — уточнять величины основных электротепловых параметров и характеристик разрабатываемых приборов; 2) при серийном выпуске транзисторов — осуществлять их сплошной контроль и вести отбраковку потенциально ненадёжных приборов, что позволит на порядок снизить интенсивность их отказов; 3) при изготовлении преобразователей — контролировать и подбирать приборы по электротепловым параметрам и характеристикам; 4) при эксплуатации преобразователей на стадии входного контроля — осуществлять дополнительный подбор приборов по электротепловым параметрам и характеристикам вместо отказавших приборов и отбраковывать потенциально ненадёжные. Все эти меры обеспечивают существенное снижение будущих затрат на последующее обслуживание и ремонт преобразователей. Заключение


×

HTML:





Ссылка: