'

Программа Президиума РАН № 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект № 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами» Организация Исполнитель: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Есаев Дмитрий Георгиевич

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Программа Президиума РАН № 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект № 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами» Организация Исполнитель: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Руководитель проекта: к.ф.-м.н. Есаев Дмитрий Георгиевич тел. (383) 330-90-29 e-mail: esaev@thermo.isp.nsc.ru


Слайд 1

Цель работы: Разработка, изготовление и исследование двухцветного ИК фотоприемного устройства на основе гетероструктур с квантовыми ямами чувствительного одновременно в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм.


Слайд 2

Высокая однородность фотоэлектрических характеристик по площади, обеспеченная хорошо развитой технологией получения соединений А3В5, включая газотранспортную и молекулярно-лучевую эпитаксию слоев. Полосовой спектр фоточувствительности, позволяющий изготавливать монолитные многоспектральные структуры. Высокая температурная, механическая и радиационная стойкость. Сравнительно низкая себестоимость при высоком выходе годных изделий. Рабочая температура 65-75 К для фотоприемников для спектрального диапазона 3 - 5 и 8 - 12 мкм. Основные преимущества фотоприемников на структурах с квантовыми ямами


Слайд 3

МСКЯ гетероструктуры для диапазонов 3 – 5 и 8 – 10 мкм


Слайд 4

Длина волны, мкм 4 6 8 10 12 14 16 18 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00 2.5% Пропускание Контроль параметров МСКЯ фотоприемников Распределение носителей по глубине Спектр пропускания Пороговая мощность в зависимости от уровня легирования AlGaAs GaAs Спектр пьезомодулированного отражения


Слайд 5

Структура фотоприемного устройства на МСКЯ


Слайд 6


Слайд 7

Формат 128х128 NEDT ? 0,05 К ? мах = 8,6 мkм T = 65 K 98,5% рабочих пикселей Формат 320х256 NEDT ? 0,03 К ? мах = 9,4 мkм T = 70 K 99% рабочих пикселей (подложка удалена) Имеющийся задел в разработке одноцветных фотоприемников. Тепловое изображение, регистрируемое фотоприемниками на МСКЯ форматом 128х128 и 320х256 элементов Формат 320х256 NEDT ? 0,03 К ? мах = 9,5 мkм T = 70 K 98% рабочих пикселей (с GaAs подложкой)


Слайд 8

Один из вариантов структуры двухцветного фотоприемника Фоточувствительные структуры GaAs/AlGaAs


Слайд 9

Ожидаемые результаты по проекту в 2009 г. Будет разработана конструкция и проведена оптимизация параметров матричных большеформатных фотоприемников с полным форматом 320х256 элементов. Будет отработана технология глубокого плазмо-химического травления структур. Разработана технология и оптимизирован способ сопряжения структур с кремниевым мультиплексором для чересстрочного считывания фотосигнала с каждой из частей структуры. Будут разработана технология и изготовлены многослойные гетероструктуры GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами чувствительные в спектральном диапазоне 3-5 и 8-12 мкм. Шаг матрицы фотоприемников составит 30-35 мкм, полный формат - 320х256 элементов, быстродействие - до 50 кадров/сек, температурное разрешение – не более 50 мК, динамический диапазон не менее 40 дБ.


×

HTML:





Ссылка: