'

IV Всероссийская научно-техническая конференция ПРОБЛЕМЫ РАЗРАБОТКИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МИКРО- и НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ – 2010 (МЭС-2010) 04-08 октября 2010.

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0


Слайд 1

Учредители конференции Российская академия наук (Отделение нанотехнологий и информационных технологий); Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ); Государственная корпорация «Ростехнологии»; Южный федеральный университет; Префектура Зеленоградского АО г. Москвы; ОАО «Ангстрем»


Слайд 2

Организатор и проводящая организация Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН) Соорганизаторы конференции Московский государственный институт электронной техники (Технический университет); Московское Научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи (МНТОРЭС) им. А.С. Попова


Слайд 3

«НТЦ ЭЛИНС»


Слайд 4

Информационная поддержка: Журнал "Информационные технологии" Журнал "Нано- и микросистемная техника" Журнал "Информационно-управляющие системы"


Слайд 5

Организационный комитет Стемпковский А.Л. - председатель, академик РАН, д.т.н., проф., ИППМ РАН Рябов Г.Г. - зам. председателя, чл.-корр. РАН, д.т.н., проф., МГУ им. М.В. Ломоносова Борискин В.С. - ученый секретарь Оргкомитета, ИППМ РАН Члены Оргкомитета: Баскин В.А. - д.т.н., ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" Борисов В.И. - чл.-корр. РАН, д.т.н., проф., ФГУП "Воронежский НИИ связи" Васильев А.Г. - д.ф.-м.н., проф., ФГУП "НПП "Пульсар" Дшхунян В.Л. - к.т.н., АО "Ангстрем" Козлов Ю.Ф. - д.т.н., проф., Минобрнауки Коровин С.К. - академик РАН, д.ф.-м.н., проф., МГУ им. М.В. Ломоносова Курейчик В.М. - д.т.н., проф., ТТИ ЮФУ, г. Таганрог Норенков И.П. - д.т.н., проф., МГТУ им. Н.Э.Баумана Петричкович Я.Я. - д.т.н. ГУП НПЦ "ЭЛВИС" Сауров А.Н. - чл.-корр. РАН, д.т.н., проф., НПК "Технологический центр" МИЭТ Сиренко В.Г. - д.т.н., проф., ФГУП "СУБМИКРОН" Соколов И.А. - академик РАН, д.т.н., проф., ИПИ РАН Телец В.А. - д.т.н., проф., Институт прикладной экстремальной электроники НИЯУ «МИФИ» Тельминов А.И. - к.т.н., префектура Зеленоградского АО г. Москвы Тикменов В.Н. - д.т.н., ЗАО "НТЦ ЭЛИНС" Чаплыгин Ю.А. - чл.-корр. РАН, д.т.н., проф., МГИЭТ(ТУ) Шурчков И.О. - д.т.н., проф., ИППМ РАН Шутов С.Г. - к.т.н., ОАО "Концерн "Радиоприбор" Щелоков А.Н. - к.ф.-м.н., ИППМ РАН


Слайд 6

Программный комитет Русаков С.Г. - председатель, чл.-корр. РАН, д.т.н., проф., ИППМ РАН Члены Программного комитета: Бибило П.Н. - д.т.н., проф., ОИПИ НАН Беларуси Бобков С.Г. - к.т.н., НИИСИ РАН Буренков А.Ф. - д.т.н., проф., Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology Быков В.А. - д.т.н., ФГУП "НИИФП им. Ф.В. Лукина" Джиган В.И. - д.т.н., ГУП НПЦ "ЭЛВИС" Зольников В.К. - д.т.н., проф., ВГЛА, г. Воронеж Крутчинский С.Г. - д.т.н., проф., ТТИ ЮФУ, г. Таганрог Курейчик В.В. - д.т.н., проф., ТТИ ЮФУ, г. Таганрог Лукьянов Д.А. - д.т.н., "Интел" Мальцев А.А. - д.ф.-м.н., проф., ННГУ им. Н.И. Лобачевского Мальцев П.П. - д.т.н., проф., ГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ Малышев И.В. - к.т.н., "НИИМА "Прогресс" Марченко А.М. - д.т.н., ООО "Нангейт" Машевич П.Р. - к.т.н., ОАО "Ангстрем-М" Меликян В.Ш. - д.т.н., проф., ЗАО "Синопсис Армения", Армения, г. Ереван Нелаев В.В. - д.т.н., проф., БГУ информатики и радиоэлектроники Петросянц К.О. - д.т.н., проф., МГИЭМ (ТУ) Пугачёв А.А. - к.т.н., ФГУП "НПП "Пульсар" Рыжов А.И. - д.т.н., проф., МГУ им. М.В. Ломоносова Стенин В.Я. - д.т.н., проф., Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Стешенко В.Б. - к.т.н. ОАО "Российские космические системы" Суетин Н.В. - д.ф.-м.н., ЗАО "Интел А/О" Шагурин И.И. - д.т.н., проф., Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Чумаков А.И. - д.т.н., проф., Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"


Слайд 7

Включение сборника трудов МЭС в Перечень ВАК Образована Редакционная коллегия; Организован доступ к статьям конференции через Интернет; Сборнику трудов присвоен ISSN; Материалы конференции размещены в E-Library; Аннотации статей, ключевые слова и сведения об авторах доступны на русском и английском языках. Соблюдены все требования ВАК


Слайд 8

МЭС-2010 Редакционная коллегия сборника трудов


Слайд 9

Основные направления работы конференции Научная часть Цикл 1: Системы автоматизации проектирования СБИС; Цикл 2: Проектирование радиационно-стойких СБИС и элементной базы для космического применения; Цикл 3: Проектирование цифровых функциональных блоков СБИС и «Систем-на-кристалле»; Цикл 4: Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС; Цикл 5: Проектирование МЭМС и приборов наноэлектроники. Дискуссия Схемотехническое проектирование радиационно-стойких ИС и СФ-блоков с нанометровыми проектными нормами (Круглый стол по проблеме) Готовые решения Презентации современных научно-технических решений компаний – ведущих мировых разработчиков


Слайд 10

Темы сессионных заседаний Цикл №1 (Системы автоматизации проектирования СБИС) Методы логического синтеза и логического моделирования в САПР СБИС; Методы приборно-технологического моделирования; Методы моделирования электрических характеристик; Методы автоматизации топологического проектирования в САПР СБИС. Продолжение на следующем слайде


Слайд 11

Проектирование элементной базы для космической и навигационной техники; Обеспечение радиационной стойкости интегральных схем; Схемотехническое проектирование радиационно-стойких ИС и СФ блоков. Продолжение на следующем слайде Темы сессионных заседаний Цикл №2 (Проектирование радиационно-стойких СБИС и элементной базы космического применения)


Слайд 12

Проектирование цифровых СБИС и систем на кристалле; Цифровая обработка сигналов в СБИС; Нетрадиционная машинная арифметика. Продолжение на следующем слайде Темы сессионных заседаний Цикл №3 (Проектирование цифровых функциональных блоков и «Систем-на-кристалле»)


Слайд 13

Проблемы разработки аналого-цифровых преобразователей; Специализированные аналого-цифровые микросхемы и СФ-блоки; Проблемы разработки сенсорной микросхемотехники. Продолжение на следующем слайде Темы сессионных заседаний Цикл №4 (Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС)


Слайд 14

Темы сессионных заседаний Цикл №5 (Проектирование МЭМС и приборов наноэлектроники) Проектирование приборов наноэлектроники на базе джозефсоновских переходов; Проектирование МЭМС; Проектирование приборов наноэлектроники.


Слайд 15

Пленарные доклады В.А. Телец, д.т.н., проф. (Институт экстремальной прикладной электроники НИЯУ "МИФИ«) «Проблемные вопросы создания элементной базы микро- и наносистем для космического применения» В.А. Быков, д.т.н., проф. (компания НТ-МДТ) «Развитие российской приборно-инструментальной базы в обеспечение метрологической и технологической составляющих наноэлектроники» М.А. Кишинёвский, к.т.н. (ЗАО "Интел А/О") «Проблемы САПР СБИС на системном и архитектурном уровнях» МЭС-2010


Слайд 16

Аналитические сессионные доклады, включенные в программу Ю.Ф. Адамов «Проблемы проектирования контроллеров интеллектуальных датчиков» О.В. Дворников «Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем» С.Г. Крутчинский «Структурная оптимизация СФ-блоков смешанных СнК. Минимизация активной чувствительности. Формализация проектных процедур» В.М. Курейчик «Адаптация в задачах проектирования топологии» П.Н. Осипенко «Микропроцессоры для космических применений» К.О. Петросянц «Модели и методики сквозного проектирования элементной базы радиационно-стойких КМОП СБИС КНИ» Продолжение на следующем слайде МЭС-2010


Слайд 17

В.Б. Стешенко «Современное состояние и перспективы развития специализированной ЭКБ для навигационных и космических применений» Н.В. Суетин «Современное состояние и перспективы развития полупроводниковых технологий» В.М. Фельдман «Направления развития архитектуры отечественных микропроцессорных линий Эльбрус и МЦСТ-R» М.К. Чобану «Многомерные многоскоростные системы и их реализация на различной элементной базе» А.И. Чумаков «Оценка и прогнозирование стойкости изделий микроэлектроники и наноэлектроники к воздействию отдельных ядерных частиц» Аналитические сессионные доклады, включенные в программу МЭС-2010


Слайд 18

Презентация компаний - ведущих мировых разработчиков "Обзор программных продуктов ANSYS, Inc.“ (ЗАО "КАДФЕМ Си-Ай-Эс") "Обзор систем автоматизированного проектирования компании Agilent Technologies. Решения в области электродинамических расчетов (методы моделирования Momentum, FEM и FDTD)" (Agilent Technologies, Inc) "Обзор решений Mentor Graphics в области проектирования микроэлектроники. Последние достижения" (ЗАО «Megratec») "Методология оптимизации дизайна цифровых макроблоков с использованием расширенной библиотеки элементов" (Nangate A/S)


Слайд 19

Общий регламент работы МЭС-2010


Слайд 20

Регламент работы научных сессий


Слайд 21

Сравнительная характеристика МЭС-2005, МЭС-2006, МЭС-2008 и МЭС-2010


Слайд 22

Состав авторов докладов в % от общего числа авторов


Слайд 23

МЭС-2010


Слайд 24

Количество докладов от организаций 30,5% 18,9% 12,7% 37,9% МЭС-2010


Слайд 25

«География» участников Армения Белоруссия Германия Италия Испания Казахстан Литва Польша Россия: Воронеж, Иваново, Киров, Красноярск, Курск, Москва, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Пенза, Самара, Санкт-Петербург, Саров, Таганрог, Троицк, Шахты США Украина


Слайд 26

Награды конференции Номинация 1: "Методы и средства автоматизации проектирования микро- и наноэлектронных систем" (САПР) Один приз Номинация 2: "Опыт разработки МЭС и их элементной базы» Два приза МЭС-2010


Слайд 27


Слайд 28


Слайд 29


Слайд 30


×

HTML:





Ссылка: