'

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов»   Раздел Программы: 1. Физика наноструктур и наноэлектроника   Научное направление Программы: 1.3. Спинтроника.   Проект: Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов.  Организация Исполнитель: Институт Физики полупроводников СО РАН 630090,

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН № 27 «Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов»   Раздел Программы: 1. Физика наноструктур и наноэлектроника   Научное направление Программы: 1.3. Спинтроника.   Проект: Релаксация спина экситонов в новом классе квантовых точек: InAs/AlGaAs квантовые точки первого рода с непрямой структурой зон в пространстве квазиимпульсов.  Организация Исполнитель: Институт Физики полупроводников СО РАН 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева 13   Научный руководитель проекта: в.н.с. д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич тел. (383) 3304475 факс: (383) 3332771 E-mail: zhur@thermo.isp.nsc.ru


Слайд 1

В рамках проекта планируется экспериментальное и теоретическое изучение электронной структуры и механизмов спиновой релаксации экситонов в новом классе InAs квантовых точек (КТ) в широкозонной матрице AlGaAs, имеющих непрямую структуру зон в квазиимпульсном пространстве. Цель работы:


Слайд 2

Проект предусматривает решение следующих задач: 1. Разработку технологии формирования InAs/AlGaAs КТ методом капельной эпитаксии. 2. Определение энергетической структуры экситонов в одиночных КТ. 3. Исследование спиновой релаксации экситонов массивах КТ и в одиночных КТ.


Слайд 3

Задел по проекту Изучена атомная и энергетическая структура квантовых ям (КЯ) и квантовых точек InAs, сформированных в матрице AlAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние после ростового отжига, на электронную структуру КТ InAs/AlAs. Выполнены расчеты энергетической структуры КЯ и КТ с учетом боковых минимумов зоны проводимости InAlAs, которые показывали, что и КЯ, и КТ имеют структуру зон первого рода. Основное электронное состояние КТ при уменьшении размера КТ переходит от прямой Г долины к боковой долине XXY зоны проводимости InAs. Таким образом, впервые показано, что в системе InAs/AlAs реализуется новый класс полупроводниковых КТ первого рода с непрямой в пространстве квазиимпульсов структурой зон.


Слайд 4

Ожидаемые в 2009 году результаты Будет развита новая технология роста - капельная эпитаксия (droplet epitaxy) с помощью которой, будут синтезированы структуры c InAs КТ в матрицах AlGaAs различного состава, с формой, варьирующейся от «блинообразной» до близкой к сферической. Установлены условия получения КТ с различным размером и формой и плотностью (от 108 до 1012 см-2). Будет изучено влияние величины энергии локализации и формы на энергетический спектр КТ и тонкую структуру экситонных уровней.


×

HTML:





Ссылка: