'

Расширение информационных ресурсов МИЭТ

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Расширение информационных ресурсов МИЭТ Отдел ОРОМТ (ауд.1204а, вн.29-04) *Козлов А.В. Сокол Н.В. Национальный исследовательский университет Московский государственный институт электронной техники (МИЭТ) Москва – 2010г.


Слайд 1

Информационные ресурсы (рабочее пространство кафедр) Рабочая программа; Презентации лекционных и семинарских занятий, подготовленные преподавателями МИЭТ; Набор видео демонстраций, видео лекций поддержки занятий в рамках дисциплины; Литература из фонда библиотеки МИЭТ, источники в Internet; Тестовые материалы для самопроверки и итоговой аттестации знаний студента, рубежный контроль и т.д.


Слайд 2

Техническое задание «Информационные ресурсы реализации обучения» Цели и задачи проекта: Обеспечить учебный процесс МИЭТ ИКТ- поддержкой организации обучения в соответствии со стандартами 3-его поколения. Модель Информационных ресурсов реализации обучения; Требования к представлению ИРРО; Текущее состояния ИРРО; Требования к представлению материала этапа 2010; Задание на разработку системы поддержки ИРРО (этап 2010).


Слайд 3

Требования к представлению ИРРО Аннотация дисциплины – краткое (красочное, выпуклое) представление дисциплины, ее целей, задач, места в рамках обучения специалиста (бакалавра, магистра). Может иметь текстовую и (или) презентационную форму (презентации, видео и т.п.); Сценарий обучения дисциплины с указанием последовательности изучения модулей и промежуточной аттестации (итоговой аттестации по дисциплине), условий доступа к модулям, правила формирования результирующей оценки и требования сдаче дисциплины; Методические рекомендации по изучению дисциплины для студентов и преподавателей; Содержимое модулей, которое представляет собой: сценарий обучения внутри модуля; методические рекомендации для студентов и преподавателей по изучению модуля; содержимое единиц обучения; - контрольные задания (аттестация по модулю на приобретенные компетенции).


Слайд 4

Краткая аннотация дисциплины «Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем» Целью преподавания дисциплины является изучение студентами физических эффектов и процессов, лежащих в основе принципов действия полупроводников и полупроводниковых приборов. В результате изучения дисциплины у студентов должны сформироваться знания, умения и навыки, позволяющие проводить самостоятельный анализ физических эффектов и процессов, определяющих принципы действия основных электронных приборов, как изучаемых в настоящей дисциплине, так и находящихся за её рамками. Студенты должны так же изучить электрические параметры и характеристики различного вида электрических контактов, применяемых в полупроводниковой электронике. Дисциплина относится к вариативной части математического и естественнонаучного цикла и находится на стыке дисциплин, обеспечивающих базовую подготовку студентов. В результате изучения настоящей дисциплины студенты должны получить знания, имеющие не только самостоятельное значение, но и обеспечивающие базовую подготовку для усвоения ряда последующих «электронных» и схемотехнических дисциплин. Изучая эту дисциплину, студенты впервые знакомятся с принципами функционирования и методами анализа рассматриваемых электронных структур различного принципа действия и назначения. Приобретённые студентами знания и навыки необходимы для грамотного выбора элементной базы при разработке и эксплуатации широкого класса устройств, связанных с формированием, передачей, приёмом и обработкой сигналов.


Слайд 5

Презентация по курсу «Физические основы элементной базы ЭВС» Цель преподавания дисциплины; Место дисциплины в структуре ООП; Требования к результатам освоения дисциплины (реализуемые компетенции); Модули дисциплины; Виды занятий; Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины.


Слайд 6

Цели преподавания дисциплины изучение студентами физических эффектов и процессов, лежащих в основе полупроводников и принципов действия полупроводниковых приборов.


Слайд 7

Основные разделы дисциплины Введение в физику полупроводников. Кинетика носителей зарядов в полупроводниках и токи. Физические процессы при контакте разнородных материалов (р-n- переход, контакт металл-полупроводник, гетеропереход). Физические процессы в структуре с двумя взаимодействующими переходами и её статические характеристики. Физические процессы в структуре металл-диэлектрик-полупроводник и её статические характеристики. Отличие реальных электронно-дырочных переходов от идеализированных. Физические основы управления током канала с помощью управляющего перехода. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.


Слайд 8

Модули дисциплины 1) Физика полупроводников; 2) Физика полупроводниковых приборов.


Слайд 9

Место дисциплины в структуре ООП Учебная дисциплина «Физические основы элементной базы ЭВС» относится к циклу профессиональных дисциплин и обеспечивает логическую взаимосвязь между курсами данного направления. Для усвоения данной дисциплины необходимо, чтобы обучающийся предварительно изучил предметы «Математический анализ», «Общая физика», а также обладал следующими компетенциями: ОК-2. Способность к самостоятельному обучению новым методам исследования, к изменению научного и научно-производственного профиля своей профессиональной деятельности. ПК-3. Способность понимать основные проблемы в своей предметной области, выбирать методы и средства их решения. ПК-4. Способность самостоятельно приобретать и использовать в практической деятельности новые знания и умения, в том числе в новых областях знаний, непосредственно не связанных со сферой деятельности. ПК-8. Готовность определять цели, осуществлять постановку задач проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения, подготавливать технические задания на выполнение проектных работ.


Слайд 10

Требования к результатам освоения дисциплины Студент должен знать: - физические явления и эффекты, определяющие принцип действия основных полупроводниковых, электровакуумных и оптоэлектронных приборов (ОК-9); - зонные диаграммы собственных и примесных полупроводников, р-n- перехода, контакта металл- полупроводник и простейшего гетероперехода (ОК-9); -физические процессы, происходящие на границе раздела различных сред (ОК-9); - математическую модель идеализированного р-n- перехода и влияние на ВАХ ширины запрещённой зоны (материала), температуры и концентрации примесей(ОК-9); - физический смысл основных параметров и основные характеристики электрических контактов различного вида в полупроводниковой электронике (ОК-9); - физические процессы в структурах с взаимодействующими р-n- переходами и в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (ОК-9); - взаимосвязь между физической реализацией полупроводниковых структур и их моделями, электрическими характеристиками и параметрами (ОК-9); - влияние температуры на физические процессы в структурах и их характеристики (ОК-9); Студент должен уметь: - находить значения электрофизических параметров полупроводниковых материалов (кремния, германия, арсенида галлия) в учебной и справочной литературе для оценки их влияния на параметры структур (ОК-9); - изображать структуры с различными контактными переходами (ОК-9); - объяснять принцип действия и составлять электрические и математические модели рассматриваемых структур (ОК-9); объяснять связь физических параметров со статическими характеристиками и параметрами изучаемых структур (ОК-9); экспериментально определять статические характеристики и параметры различных структур (ОК-9).


Слайд 11

Создание мультимедийных видеороликов кафедрами, участвующих в ПРН Направленность видеоролика: методика работы с измерительным оборудованием кафедры; математическое моделирование полупроводникового прибора; демонстрация опыта; детальное описание выбранного объекта и т.д.


Слайд 12

Наши контакты: Отдел Разработки образовательных методик и технологий (ауд.1204а). Внутренний телефон: 29-04 Контактное лицо: Сокол Наталья Валерьевна. Внимание: срок реализации до 15 ноября! Большое спасибо за внимание!


×

HTML:





Ссылка: