'

Магнетосопротивление в массиве квантовых точек с разной степенью локализации носителей заряда N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.G. Pogosov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov

Понравилась презентация – покажи это...





Слайд 0

Магнетосопротивление в массиве квантовых точек с разной степенью локализации носителей заряда N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.G. Pogosov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov


Слайд 1

Содержание Образцы с разной степенью локализации Мотивация Экспериментальные результаты по МС o o o Отрицательное МС: WL модель Отрицательное МС: VRH модель Температурная зависимость проводимости o


Слайд 2

Плотность 3-4?1011см-2 Латеральный размер 10 -15нм Высота 1-1.5 нм Поперечный срез ПЭМ СТМ изображение Ge нанокластеров Ge нанокластеры в Si INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS, SIBERIAN BRANCH OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCE Зонная структура Большая плотность КТ позволяет наблюдать прыжковую проводимость вдоль 2D массива КТ


Слайд 3

Прыжковая проводимость дырок Немонотонная зависимость проводимости от заполнения- характерная особенность КТ. Анализ безразмерной энергии активации


Слайд 4

Радиус локализации в неупорядоченной системе


Слайд 5

Сильная локализация Слабая локализация Промежуточный режим Прыжковый транспорт Диффузионная проводимость с квантовыми поправками ??????????? Режимы транспорта


Слайд 6

Изменение плотности КТ Контроль фактора заполнения Пути изменения проводимости Плотность КТ 8?1011 см-2 Фактор заполнения ? ~3 HTREM изображение КТ с плотностью ~4•1011 см -2 СТМ изображения массива Кт с плотностью ~ 8?1011 см -2 (200?200 нм)


Слайд 7

3. Изменение размеров Кт и состава при отжиге Пути изменения проводимости


Слайд 8

Мотивация Температурная зависимость проводимости Нелинейная проводимость Переход от прыжкового к диффузионному транспорту hopping regime diffusive regime G>0.4G0 G<10-4G0


Слайд 9

В магнитном поле ОМС в режиме слабой локализации ОМС в VRH режиме Отрицательное магнетосопротивление b=B/Btr , Btr=h/2el2, ?- digamma функция i j 2 1 N ? - амплитуда рассеяния<0, r- длина прыжка


Слайд 10

Температурная зависимость проводимости G>0.4e2/h - диффузионный режим G<10-2e2/h - прыжковый режим


Слайд 11

Магнетосопротивление


Слайд 12

Negative magnetoresistance, VRH model The behavior of length parameter with x is opposite than VRH theory predicts r ~ ?(T0/T)1/2


Слайд 13

Отрицательное МС, WL модель


Слайд 14

Отрицательное МС, WL модель


Слайд 15

Температурная зависимость МС Определение L? из G(T) Определение L? из MC


Слайд 16

Определение для случая если то и можно использовать приближенный метод, считая малым параметром тогда Тем самым, анализируя зависимость можно определить


Слайд 17

Предложены пути получения структур с массивом КТ с широким диапазоном изменения проводимости. Анализ температурных зависимостей проводимости подтверждает переход от прыжкового к диффузионному транспорту при изменении проводимости системы. Анализ поведения магнетосопротивления в промежуточной области значений G ( ) выполнен для структур с различными размерами и составом КТ, при изменении их плотности и заполнения КТ дырками. Выводы: Режим МС подобен для всех исследованных структур. В слабых полях наблюдается отрицательное МС, которое переходит в положительное при увеличении поля. Анализ отрицательного Мс выполнен в приближении прыжковой проводимости и слабой локализации. Показано, что приближение слабой локализации описывает поведение отрицательного МС для всех образцов, однако параметр ? стремиться к нулю при уменьшении проводимости. Результаты объяснены в предположении, что вклад квантовой интерференции ограничен не только длиной сбоя фазы, но также длиной локализации. Заключение


Слайд 18

Эффективная масса модель самосогласованной интерференционной поправки к проводимости [B.L. Altshuler, A.G. Aronov, and D.E. Khmelnitsky, J. Phys. C 15, 7367 (1982)]


Слайд 19

Структуры для исследования


×

HTML:





Ссылка: